近期，英飛凌infineon發(fā)布1200V-Plus系列IGBT單管產(chǎn)品，在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域有著深遠(yuǎn)的意義。英飛凌infineon的 Plus系列在原來經(jīng)典的TO-247封裝內(nèi)，把安裝孔去掉，封裝了更大的芯片，不但電流能力變大，基板的散熱能力也得到很大的提高，在去年英飛凌infineon發(fā)布的600V-Plus系列的最大電流已經(jīng)能做到120A，而英飛凌infineon剛剛發(fā)布的1200V-Plus系列的最大電流達(dá)到了75A。在越來越追求功率密度的時(shí)代，這無疑是對(duì)UPS設(shè)計(jì)者是一個(gè)福音，將幫助UPS設(shè)計(jì)工程師大幅的提高UPS的功率密度。

    SiC-MOSFET的應(yīng)用已經(jīng)成為趨勢(shì)，近期英飛凌infineon也推出了1200V-SiC-MOSFET，電流能力從45mΩ的TO-247封裝到11mΩ的Easy封裝，能夠大大增加UPS設(shè)計(jì)的系統(tǒng)功率密度，提升系統(tǒng)效率，對(duì)于UPS產(chǎn)業(yè)是一個(gè)革命性轉(zhuǎn)變。